热压键合 （TCB） 是半导体封装中使用的一项关键技术，特别是在 3D 堆叠存储器应用中。以下是该技术及其设备的概述：
1. 什么是热压接（TCB）？
TCB 是一种高精度的粘合工艺，其中将热量和压力施加到一堆半导体芯片上，以在层之间建立可靠的互连。它通常用于堆叠存储设备的封装，如 DRAM、闪存和其他 3D IC。目标是实现坚固、低电阻的粘合，确保导电性和导热性，同时保持堆叠层的结构完整性。
2. TCB设备技术的关键参数：
温度 ：一般范围为 250°C 至 350°C，具体取决于所使用的材料（例如焊料或铜）。
压力 ：用于确保均匀粘合并防止错位或空隙。
时间 ：绑定时间通常从几秒钟到几分钟不等，具体取决于堆栈的大小和复杂性。
无助焊剂TCB技术：无助焊剂TCB是传统 TCB 工艺的一种变体，其中在键合步骤中使用甲酸作为化学试剂。甲酸的使用有助于通过减少金属凸块的氧化和提高粘合可靠性来改善粘合过程。
展开剩余62%TCB工艺流程示例：
热压键合需在高温高压下实现材料间的精密连接（如芯片与基板、金属凸点等），其成功与否高度依赖温度均匀性与控制精度。高低温热流仪通过精确模拟极端温度环境，确保键合过程中材料受热均匀，从而提升键合质量与可靠性。
成都中冷低温研发生产的ThermoTST TS560是一台精密的高低温热流仪，具有更广泛的温度范围-70℃到+225℃，可覆盖热压键合中从低温预热到高温键合的全过程，满足不同材料（如铜凸点、聚合物）的键合温度要求。温度转换从-55℃到+125℃之间转换约10秒 ，与热压键合中“快速升温至键合温度→保温→快速冷却”的工艺流程高度契合，缩短单次键合周期，提升生产效率。 温控精度±1℃，显示精度±0.1℃，高精度温控确保键合界面温度均匀性，避免局部过热或过冷导致的键合缺陷（如空洞、翘曲）。经长期的多工况验证，满足各类生产环境和工程环境的要求。TS560是纯机械制冷，无需液氮或任何其他消耗性制冷剂。
高低温热流仪的以下特性直接支持热压键合工艺：
温度均匀性：确保键合腔内温差≤2℃，避免局部过热导致材料变形或键合失效。
快速温变能力：缩短加热/冷却周期，提升生产效率。
多维度可靠性验证：通过模拟汽车电子（AEC-Q100）、航空航天（DO-160）等标准要求的环境，确保键合结构在复杂工况下的稳定性。
通过高低温冲击测试，可以评估键合材料在不同温度下的性能变化，进而优化材料的配方和工艺参数，提升键合材料的稳定性和可靠性。
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